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STGWA50IH65DF

STGWA50IH65DF STMicroelectronics

stgwa50ih65df.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 583 Stücke:
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Technische Details STGWA50IH65DF STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STGWA50IH65DF - IGBT, 100 A, 1.5 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: IH, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGWA50IH65DF STGWA50IH65DF STMicroelectronics stgwa50ih65df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGWA50IH65DF STGWA50IH65DF STMicroelectronics stgwa50ih65df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGWA50IH65DF STGWA50IH65DF STMicroelectronics stgwa50ih65df.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGWA50IH65DF STGWA50IH65DF STMicroelectronics stgwa50ih65df.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.83 EUR
16+5.43 EUR
19+4.62 EUR
30+4.11 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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STGWA50IH65DF STGWA50IH65DF STMicroelectronics stgwa50ih65df.pdf IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.54 EUR
10+5.55 EUR
100+4.14 EUR
600+3.36 EUR
1200+3.33 EUR
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STGWA50IH65DF STGWA50IH65DF STMICROELECTRONICS 2736705.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGWA50IH65DF - IGBT, 100 A, 1.5 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 833 Stücke:
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33+7.75 EUR
38+6.2 EUR
100+5.01 EUR
500+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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STGWA50IH65DF STGWA50IH65DF STMicroelectronics stgwa50ih65df.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: 284µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.28 EUR
10+6.15 EUR
100+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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STGWA50IH65DF
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA50IH65DF - IGBT, 100 A, 1.5 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IH
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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100+5.01 EUR
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Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: 284µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 158 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.28 EUR
10+6.15 EUR
100+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH