STGWA75H65DFB2
Produktcode: 199290
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Weitere Produktangebote STGWA75H65DFB2 nach Preis ab 2.58 EUR bis 11.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA75H65DFB2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Verlustleistung: 357W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247LL Dauerkollektorstrom: 115A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 207nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 225A |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STGWA75H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 3.11 EUR |
| 65+ | 2.58 EUR |
| STGWA75H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 3.13 EUR |
| 64+ | 2.8 EUR |
| 65+ | 2.7 EUR |
| STGWA75H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 3.42 EUR |
| STGWA75H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 5.68 EUR |
| 43+ | 3.92 EUR |
| 60+ | 3.39 EUR |
| 120+ | 3.22 EUR |
| 270+ | 2.81 EUR |
| STGWA75H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 6.57 EUR |
| 31+ | 5.89 EUR |
| 35+ | 5.09 EUR |
| 60+ | 4.51 EUR |
| STGWA75H65DFB2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 115A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 115A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 11.11 EUR |
| 26+ | 9.23 EUR |
| 100+ | 7.5 EUR |
| STGWA75H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 207nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 225A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 207nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 225A
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)