STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics
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Technische Details STGWA75H65DFB2 STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 88 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247 Long Leads, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/100ns, Switching Energy: 1.428mJ (on), 1.05mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V, Gate Charge: 207 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 115 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 357 W.
Weitere Produktangebote STGWA75H65DFB2 nach Preis ab 3.4 EUR bis 5.72 EUR
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STGWA75H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGWA75H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGWA75H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 207nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STGWA75H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 207nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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STGWA75H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGWA75H65DFB2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247LL Dauerkollektorstrom: 115A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STGWA75H65DFB2 Produktcode: 199290
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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STGWA75H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| STGWA75H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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STGWA75H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 115A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 88 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247 Long Leads IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/100ns Switching Energy: 1.428mJ (on), 1.05mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V Gate Charge: 207 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 115 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 357 W |
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STGWA75H65DFB2 | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long |
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