STGWA75H65DFB2
Produktcode: 199290
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Weitere Produktangebote STGWA75H65DFB2 nach Preis ab 2.52 EUR bis 6.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA75H65DFB2 | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 357W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 207nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWA75H65DFB2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247LL Dauerkollektorstrom: 115A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STGWA75H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 3.03 EUR |
| 65+ | 2.52 EUR |
| STGWA75H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 3.06 EUR |
| 64+ | 2.73 EUR |
| 65+ | 2.64 EUR |
| STGWA75H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 3.34 EUR |
| STGWA75H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 5.55 EUR |
| 43+ | 3.82 EUR |
| 60+ | 3.32 EUR |
| 120+ | 3.15 EUR |
| 270+ | 2.75 EUR |
| STGWA75H65DFB2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 207nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 6.58 EUR |
| 16+ | 5.43 EUR |
| 30+ | 4.31 EUR |
| 60+ | 3.72 EUR |
| STGWA75H65DFB2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 115A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STGWA75H65DFB2 - IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Dauerkollektorstrom: 115A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)