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STGWT20IH125DF

STGWT20IH125DF STMicroelectronics

en.DM00095632.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1250V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/106ns
Switching Energy: 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 259 W
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Technische Details STGWT20IH125DF STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 1250V 40A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/106ns, Switching Energy: 410µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 68 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 259 W.

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STGWT20IH125DF STGWT20IH125DF Hersteller : STMicroelectronics stgw20ih125df-1850666.pdf IGBT Transistors 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
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STGWT20IH125DF Hersteller : STMicroelectronics en.DM00095632.pdf STGWT20IH125DF THT IGBT transistors
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