STGWT30HP65FB STMicroelectronics
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Technische Details STGWT30HP65FB STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/146ns, Switching Energy: 293µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 149 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 260 W.
Weitere Produktangebote STGWT30HP65FB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| STGWT30HP65FB | STM |
 IGBT TRENCH 650V 60A TO3P Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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STGWT30HP65FB | STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/146ns Switching Energy: 293µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 149 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 260 W |
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| STGWT30HP65FB | STMicroelectronics |
RF Bipolar Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT |
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Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STGWT30HP65FB |
|
Hersteller: STM
IGBT TRENCH 650V 60A TO3P Транзистори
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| STGWT30HP65FB |
|
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
Switching Energy: 293µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 149 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 260 W
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| STGWT30HP65FB |
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Hersteller: STMicroelectronics
RF Bipolar Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
RF Bipolar Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
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