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STGWT30HP65FB STMicroelectronics

Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

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Technische Details STGWT30HP65FB STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3P, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Part Status: Active, Gate Charge: 149 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 293µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: -/146ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3P, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Power - Max: 260 W.

Weitere Produktangebote STGWT30HP65FB

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
STGWT30HP65FB	STM	IGBT TRENCH 650V 60A TO3P Транзистори	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STGWT30HP65FB	STMicroelectronics	Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3P Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Part Status: Active Gate Charge: 149 nC Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Switching Energy: 293µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: -/146ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-3P Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Power - Max: 260 W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STGWT30HP65FB	STMicroelectronics	RF Bipolar Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

STGWT30HP65FB

Hersteller: STM
IGBT TRENCH 650V 60A TO3P Транзистори

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STGWT30HP65FB

Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3P
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 149 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/146ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3P
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 260 W

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STGWT30HP65FB

Hersteller: STMicroelectronics
RF Bipolar Transistors Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

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Mindestbestellmenge: 600 Stücke

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