STGWT30V60F STMICROELECTRONICS


SGSTS51303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT30V60F - IGBT, 60 A, 1.85 V, 260 W, 600 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
Verlustleistung: 260W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 173 Stücke:
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Technische Details STGWT30V60F STMICROELECTRONICS

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 163 nC, Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 383µJ (on), 233µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 45ns/189ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3P, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube, Power - Max: 260 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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