Technische Details STGWT40H65DFB STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 62 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/142ns, Switching Energy: 498µJ (on), 363µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 283 W.
Weitere Produktangebote STGWT40H65DFB nach Preis ab 2.71 EUR bis 5.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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STGWT40H65DFB | STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWT40H65DFB | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWT40H65DFB | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V Verlustleistung: 283W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 650V HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STGWT40H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 65+ | 2.71 EUR |
| STGWT40H65DFB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 15+ | 5.89 EUR |
| 16+ | 5.47 EUR |
| 19+ | 4.58 EUR |
| 30+ | 4.51 EUR |
| STGWT40H65DFB |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT40H65DFB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)