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STGWT40HP65FB

en.DM00236841.pdf
Produktcode: 148933
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Hersteller:
Gehäuse: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 650 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,7 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 80 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: /142
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB STMicroelectronics STGWT40HP65FB.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.16 EUR
28+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB STMicroelectronics en.DM00236841.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/142ns
Switching Energy: 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
30+3.44 EUR
120+2.8 EUR
510+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB STMicroelectronics en.DM00236841.pdf IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
auf Bestellung 831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+3.45 EUR
100+2.83 EUR
600+2.31 EUR
1200+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB STMICROELECTRONICS 2819073.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STGWT40HP65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STGWT40HP65FB STGWT40HP65FB.pdf
STGWT40HP65FB
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 283W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/142ns
Switching Energy: 363µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
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IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
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STGWT40HP65FB
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT40HP65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 283W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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