STGWT40HP65FB
Produktcode: 148933
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Hersteller:
Gehäuse: TO-3P
Vces: 650 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
td(on)/td(off) 100-150 Grad: /142
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Weitere Produktangebote STGWT40HP65FB nach Preis ab 1.83 EUR bis 5.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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STGWT40HP65FB | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 283W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWT40HP65FB | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWT40HP65FB | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/142ns Switching Energy: 363µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 283 W |
auf Bestellung 535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGWT40HP65FB | Hersteller : STMicroelectronics |
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT |
auf Bestellung 833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STGWT40HP65FB | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT40HP65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 283 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 283W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGWT40HP65FB | Hersteller : STM |
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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