STGWT60H65FB STMicroelectronics
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Technische Details STGWT60H65FB STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns, Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 306 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 375 W.
Weitere Produktangebote STGWT60H65FB nach Preis ab 2.76 EUR bis 7.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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STGWT60H65FB | STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGWT60H65FB | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT60H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STGWT60H65FB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| STGWT60H65FB |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT60H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: STMICROELECTRONICS - STGWT60H65FB - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 35+ | 7.29 EUR |
| 40+ | 5.91 EUR |
| 100+ | 4.52 EUR |