Technische Details STGWT60H65FB STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 51ns/160ns, Switching Energy: 1.09mJ (on), 626µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 306 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 375 W.
Weitere Produktangebote STGWT60H65FB nach Preis ab 2.7 EUR bis 7.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STGWT60H65FB | STMicroelectronics |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STGWT60H65FB | STMicroelectronics |
IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB |
auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STGWT60H65FB |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 65+ | 2.7 EUR |
| STGWT60H65FB |
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Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 7.22 EUR |
| 10+ | 4.49 EUR |
| 100+ | 3.42 EUR |
| 600+ | 3.27 EUR |
| 1200+ | 3.19 EUR |
| 2700+ | 3.17 EUR |