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STGYA50M120DF3 STMicroelectronics


stgya50m120df3.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A MAX247
Power - Max: 535 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Gate Charge: 194 nC
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2mJ (on), 3.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/258ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: MAX247™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 325 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Technische Details STGYA50M120DF3 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A MAX247, Power - Max: 535 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Gate Charge: 194 nC, Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 2mJ (on), 3.2mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 38ns/258ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: MAX247™, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Reverse Recovery Time (trr): 325 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STGYA50M120DF3 STGYA50M120DF3 STMicroelectronics stgya50m120df3.pdf IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
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10+8.77 EUR
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IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
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