STH240N10F7-6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3+ | 7.09 EUR |
| 100+ | 6.02 EUR |
| 500+ | 5.35 EUR |
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Technische Details STH240N10F7-6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote STH240N10F7-6 nach Preis ab 5.15 EUR bis 10.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STH240N10F7-6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ 180 A STripFET F7 Power MOSFET |
auf Bestellung 2794 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STH240N10F7-6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STH240N10F7-6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STH240N10F7-6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STH240N10F7-6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STH240N10F7-6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: H2PAK-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V |
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