STH240N10F7-6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
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Technische Details STH240N10F7-6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.
Weitere Produktangebote STH240N10F7-6 nach Preis ab 3.14 EUR bis 8.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STH240N10F7-6 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac |
auf Bestellung 3650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STH240N10F7-6 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: H2PAK-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1103 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STH240N10F7-6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
auf Bestellung 543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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STH240N10F7-6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STH240N10F7-6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac
MOSFETs N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.43 EUR |
| 10+ | 5.57 EUR |
| 100+ | 3.96 EUR |
| 500+ | 3.69 EUR |
| 1000+ | 3.14 EUR |
| STH240N10F7-6 |
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Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11550 pF @ 25 V
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 8.43 EUR |
| 10+ | 5.57 EUR |
| 100+ | 3.95 EUR |
| 500+ | 3.69 EUR |
| STH240N10F7-6 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 543 Stücke:
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| STH240N10F7-6 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STH240N10F7-6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 2000 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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Produktpalette: STripFET F7 Series
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)