STH260N6F6-2 STMicroelectronics
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.72 EUR |
| 10+ | 4.95 EUR |
| 100+ | 3.63 EUR |
| 500+ | 3.33 EUR |
| 1000+ | 2.83 EUR |
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Technische Details STH260N6F6-2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH260N6F6-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STH260N6F6-2 nach Preis ab 3.54 EUR bis 7.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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STH260N6F6-2 | STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: H2Pak-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STH260N6F6-2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH260N6F6-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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STH260N6F6-2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH260N6F6-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STH260N6F6-2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: H2Pak-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.81 EUR |
| 10+ | 5.19 EUR |
| 100+ | 3.71 EUR |
| 500+ | 3.54 EUR |
| STH260N6F6-2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH260N6F6-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STH260N6F6-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: H2PAK-2
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 976 Stücke:
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| STH260N6F6-2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH260N6F6-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: -
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STH260N6F6-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 1600 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 180A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)