STH4N150-2AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in an H2PAK-2 package
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.25 EUR |
| 10+ | 6.72 EUR |
| 100+ | 4.96 EUR |
| 500+ | 4.49 EUR |
| 1000+ | 3.8 EUR |
| 2000+ | 3.69 EUR |
| 5000+ | 3.53 EUR |
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Technische Details STH4N150-2AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH4N150-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.6 A, 10 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 208W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PowerMESH Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm.
Weitere Produktangebote STH4N150-2AG nach Preis ab 6.91 EUR bis 16.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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STH4N150-2AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH4N150-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.6 A, 10 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: TBA Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STH4N150-2AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH4N150-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.6 A, 10 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STH4N150-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.6 A, 10 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 16.31 EUR |
| 23+ | 10.19 EUR |
| 100+ | 6.91 EUR |