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STHU65N110DM9AG STMICROELECTRONICS


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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU65N110DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.11 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 282 Stücke:
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Technische Details STHU65N110DM9AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STHU65N110DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.11 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 179W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HU3PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STHU65N110DM9AG STHU65N110DM9AG STMICROELECTRONICS 4659646.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STHU65N110DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.11 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Description: STMICROELECTRONICS - STHU65N110DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 26 A, 0.11 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
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