STI20N65M5 STMicroelectronics
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Technische Details STI20N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1434 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote STI20N65M5 nach Preis ab 3.6 EUR bis 6.97 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STI20N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1434 pF @ 100 V |
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STI20N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STI20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.19 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STI20N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STI20N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STI20N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
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