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STI20N65M5 STMicroelectronics

Name: STI20N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 18946526-3
Price: 19.26 EUR
Availability: InStock

Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1434 pF @ 100 V

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Technische Details STI20N65M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STI20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.19 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	STI20N65M5	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - STI20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.19 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 130W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm	auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	STI20N65M5	STMicroelectronics		auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

STI20N65M5

SGSTS48870-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STI20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.19 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm

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STI20N65M5

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