STI55NF03L STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V, 0.01 Ohm, 55 A, I2PAK STripFET II Power MOSFET
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Technische Details STI55NF03L STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STI55NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: I2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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STI55NF03L | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STI55NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: I2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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STI55NF03L | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -60°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 25 V |
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