STI55NF03L STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 30 V, 0.01 Ohm, 55 A, I2PAK STripFET II Power MOSFET
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.52 EUR |
| 10+ | 3.19 EUR |
| 100+ | 2.49 EUR |
| 500+ | 2.05 EUR |
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Technische Details STI55NF03L STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STI55NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 80W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: I2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.
Weitere Produktangebote STI55NF03L
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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STI55NF03L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STI55NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 80W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: I2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STI55NF03L |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STI55NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: I2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STI55NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.01 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: I2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)