STL110N10F7 STMicroelectronics


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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
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Technische Details STL110N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 107A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STL110N10F7 STL110N10F7 STMicroelectronics en.dm00071579.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
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STL110N10F7 STL110N10F7 STMicroelectronics en.DM00071579.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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86+2.07 EUR
87+1.96 EUR
88+1.86 EUR
100+1.76 EUR
250+1.67 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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86+2.07 EUR
87+2.01 EUR
88+1.93 EUR
100+1.86 EUR
250+1.8 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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STL110N10F7 STL110N10F7 STMICROELECTRONICS 2815966.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STL110N10F7 STL110N10F7 STMicroelectronics en.DM00071579.pdf MOSFETs N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII
auf Bestellung 4734 Stücke:
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1+5.53 EUR
10+3.58 EUR
100+2.48 EUR
500+2 EUR
1000+1.92 EUR
3000+1.64 EUR
6000+1.62 EUR
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STL110N10F7 STL110N10F7 STMicroelectronics en.DM00071579.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
auf Bestellung 5418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
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1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STL110N10F7 STL110N10F7 STMICROELECTRONICS 2815966.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 2372 Stücke:
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59+3.96 EUR
100+2.7 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.07 EUR
87+1.96 EUR
88+1.86 EUR
100+1.76 EUR
250+1.67 EUR
500+1.57 EUR
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87+2.01 EUR
88+1.93 EUR
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500+1.75 EUR
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 2442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.7 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII
auf Bestellung 4734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.53 EUR
10+3.58 EUR
100+2.48 EUR
500+2 EUR
1000+1.92 EUR
3000+1.64 EUR
6000+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
auf Bestellung 5418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.63 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 2372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.59 EUR
59+3.96 EUR
100+2.7 EUR
500+2.25 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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