STL140N6F7 STMicroelectronics
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Technische Details STL140N6F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 140 A, 0.0024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STL140N6F7 nach Preis ab 1.06 EUR bis 4.8 EUR
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STL140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 140A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 140A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
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STL140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 140A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 140A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5 |
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STL140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
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STL140N6F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 140 A, 0.0024 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STL140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 140A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 140A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 140A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL140N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 107A; Idm: 560A; 125W Mounting: SMD Case: PowerFLAT 5x6 On-state resistance: 2.8mΩ Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 125W Drain current: 107A Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 560A Polarisation: unipolar |
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