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Technische Details STL150N3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0016 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET H6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STL150N3LLH6
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Preis |
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STL150N3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STL150N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0016 ohm, PowerFLAT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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| STL150N3LLH6 |
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STL150N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin Power Flat T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STL150N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin Power Flat T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STL150N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 150A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 25 V |
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