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Technische Details STL160N4F8 STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 111W; 8-PowerVDFN, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 111W, Case: 8-PowerVDFN, Mounting: SMD, Gate charge: 28nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 120A, Drain-source voltage: 40V, On-state resistance: 2.6mΩ.
Weitere Produktangebote STL160N4F8
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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STL160N4F8 | STMicroelectronics |
 MOSFETs N-channel 40V, 2.6 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STL160N4F8 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 111W; 8-PowerVDFN Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 111W Case: 8-PowerVDFN Mounting: SMD Gate charge: 28nC Polarisation: unipolar Drain current: 120A Drain-source voltage: 40V On-state resistance: 2.6mΩ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STL160N4F8 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 40V, 2.6 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
MOSFETs N-channel 40V, 2.6 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
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| STL160N4F8 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 111W; 8-PowerVDFN
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 111W
Case: 8-PowerVDFN
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 40V
On-state resistance: 2.6mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 111W; 8-PowerVDFN
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 111W
Case: 8-PowerVDFN
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 40V
On-state resistance: 2.6mΩ
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