Technische Details STL220N6F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL220N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STL220N6F7 nach Preis ab 1.69 EUR bis 6.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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STL220N6F7 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL220N6F7 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL220N6F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL220N6F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL220N6F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
auf Bestellung 2033 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL220N6F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
auf Bestellung 4830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL220N6F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
auf Bestellung 4830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL220N6F7 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL220N6F7 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5 |
auf Bestellung 9055 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL220N6F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL220N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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STL220N6F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL220N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STL220N6F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 1.69 EUR |
| STL220N6F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 1.89 EUR |
| STL220N6F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 2.27 EUR |
| STL220N6F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 2.27 EUR |
| STL220N6F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 2033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 60+ | 2.94 EUR |
| 61+ | 2.86 EUR |
| 100+ | 2.7 EUR |
| 500+ | 2.36 EUR |
| 1000+ | 1.88 EUR |
| 2000+ | 1.7 EUR |
| STL220N6F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 4830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 3.28 EUR |
| 55+ | 3.19 EUR |
| 56+ | 3.07 EUR |
| 100+ | 2.95 EUR |
| 250+ | 2.87 EUR |
| 500+ | 2.77 EUR |
| 1000+ | 2.67 EUR |
| 3000+ | 2.62 EUR |
| STL220N6F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 4830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 3.28 EUR |
| 55+ | 3.12 EUR |
| 56+ | 2.95 EUR |
| 100+ | 2.8 EUR |
| 250+ | 2.64 EUR |
| 500+ | 2.49 EUR |
| 1000+ | 2.34 EUR |
| 3000+ | 2.31 EUR |
| STL220N6F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
auf Bestellung 3863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.2 EUR |
| 10+ | 4.03 EUR |
| 100+ | 2.8 EUR |
| 500+ | 2.27 EUR |
| 1000+ | 2.23 EUR |
| STL220N6F7 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
auf Bestellung 9055 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.24 EUR |
| 10+ | 4.06 EUR |
| 100+ | 2.83 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| 1000+ | 2.26 EUR |
| 3000+ | 2.07 EUR |
| STL220N6F7 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL220N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL220N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STL220N6F7 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL220N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL220N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)