STL220N6F7 STMicroelectronics
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Technische Details STL220N6F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL220N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STL220N6F7 nach Preis ab 1.23 EUR bis 4.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STL220N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL220N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
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STL220N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL220N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL220N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL220N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL220N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL220N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
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STL220N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0012 Ohm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5 |
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STL220N6F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL220N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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STL220N6F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL220N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1400 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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STL220N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL220N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL220N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 480A; 188W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 188W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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