STL28N60M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V PWRFLAT 8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
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Technische Details STL28N60M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V PWRFLAT 8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| STL28N60M2 | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V, 0.140 Ohm typ 19 A MDmesh M2 Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| STL28N60M2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 72A; 125W Case: PowerFLAT 8x8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Gate charge: 29nC Polarisation: unipolar Drain current: 12A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.21Ω |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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STL28N60M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 4-Pin Power Flat EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STL28N60M2 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.140 Ohm typ 19 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.140 Ohm typ 19 A MDmesh M2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
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| STL28N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 72A; 125W
Case: PowerFLAT 8x8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.21Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 72A; 125W
Case: PowerFLAT 8x8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.21Ω
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| STL28N60M2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 4-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 4-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH

