STL305N4LF8AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: POWERFLAT 5X6 WF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.26 EUR |
| 10+ | 3.4 EUR |
| 100+ | 2.34 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
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Technische Details STL305N4LF8AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL305N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 40 V, 304 A, 1000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 304A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STL305N4LF8AG nach Preis ab 1.83 EUR bis 5.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STL305N4LF8AG | STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8 |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL305N4LF8AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL305N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 40 V, 304 A, 1000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 304A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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STL305N4LF8AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL305N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 40 V, 304 A, 1000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 304A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STL305N4LF8AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8
MOSFETs Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.7 EUR |
| 10+ | 3.69 EUR |
| 100+ | 2.56 EUR |
| 500+ | 2.07 EUR |
| 1000+ | 1.98 EUR |
| 3000+ | 1.83 EUR |
| STL305N4LF8AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL305N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 40 V, 304 A, 1000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 304A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL305N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 40 V, 304 A, 1000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STL305N4LF8AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL305N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 40 V, 304 A, 1000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL305N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, benetzbare Flanke, n-Kanal, 40 V, 304 A, 1000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)