STL320N4LF8 STMicroelectronics
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Technische Details STL320N4LF8 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL320N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 0.00055 ohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote STL320N4LF8 nach Preis ab 1.48 EUR bis 5.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STL320N4LF8 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V |
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STL320N4LF8 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel enhancement mode logic level 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 Power MOSFET |
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STL320N4LF8 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V |
auf Bestellung 5424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL320N4LF8 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL320N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 0.00055 ohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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STL320N4LF8 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL320N4LF8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 0.00055 ohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL320N4LF8 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 360A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL320N4LF8 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 360A; Idm: 1440A; 188W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 360A Pulsed drain current: 1.44kA Power dissipation: 188W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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