Produkte > STMICROELECTRONICS > STL3N65M2
STL3N65M2

STL3N65M2 STMicroelectronics

stl3n65m2.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.39 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STL3N65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 22W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 100 V.

Weitere Produktangebote STL3N65M2 nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.78 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STL3N65M2 STL3N65M2 STMicroelectronics stl3n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL3N65M2 STL3N65M2 STMicroelectronics stl3n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 30324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+0.81 EUR
241+0.71 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.52 EUR
6000+0.5 EUR
9000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL3N65M2 STL3N65M2 STMicroelectronics stl3n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 30324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+0.88 EUR
215+0.79 EUR
241+0.68 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
9000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL3N65M2 STL3N65M2 STMicroelectronics stl3n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.96 EUR
204+0.82 EUR
250+0.8 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL3N65M2 STL3N65M2 STMicroelectronics stl3n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
160+1.08 EUR
178+0.9 EUR
204+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL3N65M2 STL3N65M2 STMicroelectronics en.DM00186730.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 1.6 Ohm typ 2.3 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 11658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.24 EUR
10+1 EUR
100+0.74 EUR
3000+0.67 EUR
6000+0.65 EUR
24000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL3N65M2 STL3N65M2 STMicroelectronics en.DM00186730.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 100 V
auf Bestellung 2977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL3N65M2 stl3n65m2.pdf
STL3N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.48 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL3N65M2 stl3n65m2.pdf
STL3N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 30324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
215+0.81 EUR
241+0.71 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.52 EUR
6000+0.5 EUR
9000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL3N65M2 stl3n65m2.pdf
STL3N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 30324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
198+0.88 EUR
215+0.79 EUR
241+0.68 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
9000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL3N65M2 stl3n65m2.pdf
STL3N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
178+0.96 EUR
204+0.82 EUR
250+0.8 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL3N65M2 stl3n65m2.pdf
STL3N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 2.3A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
160+1.08 EUR
178+0.9 EUR
204+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL3N65M2 en.DM00186730.pdf
STL3N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 1.6 Ohm typ 2.3 A MDmesh M2 Power MOSFET
auf Bestellung 11658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.24 EUR
10+1 EUR
100+0.74 EUR
3000+0.67 EUR
6000+0.65 EUR
24000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL3N65M2 en.DM00186730.pdf
STL3N65M2
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 100 V
auf Bestellung 2977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH