
STL40N10F7 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V
auf Bestellung 4235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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6+ | 3.29 EUR |
10+ | 2.11 EUR |
100+ | 1.43 EUR |
500+ | 1.14 EUR |
1000+ | 1.09 EUR |
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Technische Details STL40N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL40N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.02 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.
Weitere Produktangebote STL40N10F7 nach Preis ab 1.00 EUR bis 3.54 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STL40N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL40N10F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
auf Bestellung 4117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL40N10F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
auf Bestellung 4117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL40N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 70W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 70W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STL40N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 50 V |
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STL40N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 70W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 70W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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