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STL52N60DM6

STL52N60DM6 STMicroelectronics

stl52n60dm6.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
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Technische Details STL52N60DM6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL52N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45 A, 0.072 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Verlustleistung Pd: 174W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 174W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT HV, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STL52N60DM6 STL52N60DM6 STMicroelectronics stl52n60dm6.pdf Description: N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP.,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2468 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.61 EUR
10+12.53 EUR
100+10.45 EUR
500+9.22 EUR
1000+8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STL52N60DM6 STL52N60DM6 STMICROELECTRONICS 3475727.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL52N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45 A, 0.072 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 174W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STL52N60DM6 STL52N60DM6 STMICROELECTRONICS 3475727.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL52N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45 A, 0.072 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 174W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 174W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
auf Bestellung 2112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Description: N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP.,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 174W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2468 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL52N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45 A, 0.072 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 174W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
auf Bestellung 2112 Stücke:
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Description: STMICROELECTRONICS - STL52N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 45 A, 0.072 ohm, PowerFLAT HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 174W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 174W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
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