STL7N6F7 STMicroelectronics
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| 3+ | 1.15 EUR |
| 10+ | 0.98 EUR |
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| 500+ | 0.58 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 3000+ | 0.43 EUR |
| 6000+ | 0.42 EUR |
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Technische Details STL7N6F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL7N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.021 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STL7N6F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STL7N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.021 ohm, PowerFLAT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STL7N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL7N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
STL7N6F7 SMD N channel transistors |
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STL7N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
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STL7N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
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