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STL8DN6LF3

STL8DN6LF3 STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 990 Stücke:
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166+1.06 EUR
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Technische Details STL8DN6LF3 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMicroelectronics en.dm00039155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
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STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMicroelectronics en.dm00039155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
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STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMicroelectronics en.dm00039155.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
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STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMicroelectronics en.DM00039155.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 65W
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.56 EUR
6000+1.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0010030721-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMicroelectronics en.DM00039155.pdf MOSFETs Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
auf Bestellung 3329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.84 EUR
100+2.07 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.49 EUR
3000+1.4 EUR
6000+1.39 EUR
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STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMicroelectronics en.DM00039155.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 65W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 20921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
10+3.43 EUR
100+2.36 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.78 EUR
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STL8DN6LF3 STL8DN6LF3 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0010030721-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.27 EUR
59+3.99 EUR
100+2.81 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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STL8DN6LF3
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
158+1.11 EUR
166+1.01 EUR
167+0.96 EUR
175+0.89 EUR
250+0.84 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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STL8DN6LF3
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL8DN6LF3
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL8DN6LF3
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 65W
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.56 EUR
6000+1.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STL8DN6LF3
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.81 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STL8DN6LF3
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII
auf Bestellung 3329 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.57 EUR
10+2.84 EUR
100+2.07 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.49 EUR
3000+1.4 EUR
6000+1.39 EUR
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STL8DN6LF3
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 65W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 20921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.3 EUR
10+3.43 EUR
100+2.36 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF3 SGST-S-A0010030721-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STL8DN6LF3
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+6.27 EUR
59+3.99 EUR
100+2.81 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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