STL8DN6LF3 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details STL8DN6LF3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0225 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0225ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: STripFET F3 Series, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, Verlustleistung, p-Kanal: 65W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0225ohm, Dauer-Drainstrom Id: 20A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0225ohm, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 65W, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote STL8DN6LF3 nach Preis ab 1.23 EUR bis 3.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 65W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 668pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 20991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0225 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0225ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: STripFET F3 Series Bauform - Transistor: PowerFLAT Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds: 60V Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0225ohm Dauer-Drainstrom Id: 20A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0225ohm Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 65W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0225 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0225ohm Verlustleistung, p-Kanal: 65W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0225ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 65W |
auf Bestellung 2974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STL8DN6LF3 | Hersteller : STMicroelectronics |
STL8DN6LF3 SMD N channel transistors |
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