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STL8DN6LF6AG

STL8DN6LF6AG STMicroelectronics

stl8dn6lf6ag.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
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Technische Details STL8DN6LF6AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 55W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F6 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 55W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Hersteller : STMicroelectronics stl8dn6lf6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
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STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Hersteller : STMicroelectronics stl8dn6lf6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
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STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Hersteller : STMicroelectronics en.DM00208902.pdf Description: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Hersteller : STMicroelectronics stl8dn6lf6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
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Mindestbestellmenge: 164
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STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Hersteller : STMicroelectronics en.DM00208902.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 32A; Idm: 128A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 55W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.60 EUR
50+1.44 EUR
71+1.02 EUR
75+0.96 EUR
6000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 45
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STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Hersteller : STMicroelectronics en.DM00208902.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 32A; Idm: 128A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 55W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: Automotive
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STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Hersteller : STMicroelectronics stl8dn6lf6ag-1851110.pdf MOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ 32 A STripFET F6 Power MOSFET
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2+2.11 EUR
10+1.62 EUR
100+1.19 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.89 EUR
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Hersteller : STMicroelectronics en.DM00208902.pdf Description: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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7+2.53 EUR
11+1.71 EUR
100+1.22 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807045-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 55W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 55W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807045-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 55W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 55W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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