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STL8DN6LF6AG STMicroelectronics


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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
293+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
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Technische Details STL8DN6LF6AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 55W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F6 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 55W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG STMicroelectronics stl8dn6lf6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
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293+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG STMicroelectronics en.DM00208902.pdf Description: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1 EUR
6000+0.93 EUR
9000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG STMicroelectronics en.DM00208902.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 32A; Idm: 128A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 55W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.14 EUR
61+1.42 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807045-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 55W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 55W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.5 EUR
107+2.01 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG STMicroelectronics en.DM00208902.pdf MOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFE
auf Bestellung 3470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+2.05 EUR
100+1.39 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
3000+0.89 EUR
6000+0.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG STMicroelectronics en.DM00208902.pdf Description: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+2.32 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STL8DN6LF6AG STL8DN6LF6AG STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807045-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 55W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 55W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.84 EUR
67+3.5 EUR
107+2.01 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
293+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 293 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1 EUR
6000+0.93 EUR
9000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 32A; Idm: 128A; 55W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
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Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 55W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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40+2.14 EUR
61+1.42 EUR
100+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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STL8DN6LF6AG SGST-S-A0002807045-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
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Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 55W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.5 EUR
107+2.01 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MOSFETs Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 32 A STripFET F6 Power MOSFE
auf Bestellung 3470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.58 EUR
10+2.05 EUR
100+1.39 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
3000+0.89 EUR
6000+0.87 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.64 EUR
10+2.32 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.13 EUR
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN6LF6AG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 55W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 55W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 5266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+5.84 EUR
67+3.5 EUR
107+2.01 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.32 EUR
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