STL90N6F7 STMicroelectronics
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Technische Details STL90N6F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL90N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
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STL90N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL90N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
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STL90N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
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STL90N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ 90 A STripFET F7 Power MOSFET |
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STL90N6F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL90N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0046 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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STL90N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL90N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL90N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL90N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL90N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL90N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 66A; Idm: 360A; 94W Mounting: SMD Case: PowerFLAT 5x6 Power dissipation: 94W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 360A Drain-source voltage: 60V Drain current: 66A On-state resistance: 5.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| STL90N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 66A; Idm: 360A; 94W Mounting: SMD Case: PowerFLAT 5x6 Power dissipation: 94W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 360A Drain-source voltage: 60V Drain current: 66A On-state resistance: 5.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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