Produkte > STMICROELECTRONICS > STL90N6F7
STL90N6F7

STL90N6F7 STMicroelectronics

STL90N6F7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STL90N6F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL90N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote STL90N6F7 nach Preis ab 1.24 EUR bis 3.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STL90N6F7 STL90N6F7 STMicroelectronics STL90N6F7.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ 90 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 7081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.51 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.43 EUR
3000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL90N6F7 STL90N6F7 STMicroelectronics STL90N6F7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 25876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+2.5 EUR
100+1.77 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL90N6F7 STL90N6F7 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0009585884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STL90N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL90N6F7 STL90N6F7.pdf
STL90N6F7
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ 90 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 7081 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.56 EUR
10+2.51 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.43 EUR
3000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL90N6F7 STL90N6F7.pdf
STL90N6F7
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 25876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.69 EUR
10+2.5 EUR
100+1.77 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL90N6F7 SGST-S-A0009585884-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STL90N6F7
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL90N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH