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STN2NF10

STN2NF10 STMicroelectronics

cd0000244.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details STN2NF10 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STN2NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STN2NF10 STN2NF10 Hersteller : STMicroelectronics cd0000244.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN2NF10 STN2NF10 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002442.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
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STN2NF10 STN2NF10 Hersteller : STMicroelectronics stn2nf10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 2.4A; 3.3W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 0.26Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1251 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1.00 EUR
105+0.69 EUR
122+0.59 EUR
246+0.29 EUR
261+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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STN2NF10 STN2NF10 Hersteller : STMicroelectronics stn2nf10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 2.4A; 3.3W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 0.26Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ II
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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STN2NF10 STN2NF10 Hersteller : STMicroelectronics stn2nf10-1851382.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 2 Amp
auf Bestellung 28822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.25 EUR
10+1.62 EUR
100+1.10 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.80 EUR
2000+0.73 EUR
4000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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STN2NF10 STN2NF10 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002442.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 11435 Stücke:
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Anzahl Preis
8+2.32 EUR
12+1.51 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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STN2NF10 STN2NF10 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS31599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN2NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3841 Stücke:
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STN2NF10 STN2NF10 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS31599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN2NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STN2NF10 STN2NF10 Hersteller : STMicroelectronics cd0000244.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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