STN3NF06 STMicroelectronics
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Technische Details STN3NF06 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STN3NF06 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STN3NF06 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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STN3NF06 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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STN3NF06 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN3NF06 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V |
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STN3NF06 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 Amp |
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STN3NF06 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STN3NF06 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STN3NF06 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STN3NF06 | Hersteller : STMicroelectronics |
STN3NF06 SMD N channel transistors |
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STN3NF06 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STN3NF06 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STN3NF06 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V |
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