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STN3NF06L

STN3NF06L STMicroelectronics

705378964277373cd000.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details STN3NF06L STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STN3NF06L STN3NF06L Hersteller : STMicroelectronics 705378964277373cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN3NF06L STN3NF06L Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002430.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
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STN3NF06L STN3NF06L Hersteller : STMicroelectronics 705378964277373cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN3NF06L STN3NF06L Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA39879F0C7C469&compId=STN3NF06L.pdf?ci_sign=9e4205bcfc259c0f0e92ecc7d8cc32d1901f0124 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223; ESD
Case: SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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84+0.85 EUR
100+0.72 EUR
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STN3NF06L STN3NF06L Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA39879F0C7C469&compId=STN3NF06L.pdf?ci_sign=9e4205bcfc259c0f0e92ecc7d8cc32d1901f0124 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223; ESD
Case: SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
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STN3NF06L STN3NF06L Hersteller : STMicroelectronics en.CD00002430.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
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STN3NF06L
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STN3NF06L STN3NF06L Hersteller : STMicroelectronics stn3nf06l-1851240.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 4 AMP
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STN3NF06L STN3NF06L Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003207781-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STN3NF06L STN3NF06L Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003207781-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STN3NF06L STN3NF06L Hersteller : STMicroelectronics 705378964277373cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN3NF06L Hersteller : ST en.CD00002430.pdf N-MOSFET 4.0A 60V 3.3W 0.10Ω STN3NF06L TSTN3nf06l
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Anzahl Preis
50+1.10 EUR
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STN3NF06L Hersteller : VBsemi en.CD00002430.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 175°C; STN3NF06L TSTN3NF06L VBS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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STN3NF06L Hersteller : STMicroelectronics 705378964277373cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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