STN4NF06L STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details STN4NF06L STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote STN4NF06L nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.23 EUR
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STN4NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
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STN4NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
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STN4NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 60V 4A STripFET |
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STN4NF06L | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
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STN4NF06L | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN4NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
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STN4NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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STN4NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
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STN4NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
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| STN4NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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STN4NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.9A; Idm: 16A; 3.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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STN4NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
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STN4NF06L | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.9A; Idm: 16A; 3.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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