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STN851

STN851 STMicroelectronics

cd0000304.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details STN851 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STN851 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STN851 STN851 Hersteller : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans GP BJT NPN 60V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN851 STN851 Hersteller : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans GP BJT NPN 60V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN851 STN851 Hersteller : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans GP BJT NPN 60V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN851 STN851 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003047.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Anzahl Preis
1000+0.69 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000
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STN851 STN851 Hersteller : STMicroelectronics stn851.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Current gain: 30...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
77+0.93 EUR
79+0.90 EUR
165+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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STN851 STN851 Hersteller : STMicroelectronics stn851.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Current gain: 30...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
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STN851 STN851 Hersteller : STMicroelectronics stn851-1851476.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Lo-Volt Fast Sw
auf Bestellung 6645 Stücke:
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Anzahl Preis
2+1.95 EUR
10+1.27 EUR
100+0.91 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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STN851 STN851 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003047.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.6 W
auf Bestellung 2026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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8+2.32 EUR
13+1.47 EUR
100+0.97 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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STN851 STN851 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2309912.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STN851 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 19021 Stücke:
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STN851 STN851 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2309912.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STN851 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STN851 STN851 Hersteller : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans GP BJT NPN 60V 5A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN851 Hersteller : JSMicro Semiconductor en.CD00003047.pdf Transistor NPN; 350; 1,6W; 60V; 5A; 130MHz, -65°C ~ 150°C; Equivalent: STN851 STMicroelectronics; STN851 JSMICRO TSTN851 JSM
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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100+0.55 EUR
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STN851 STN851
Produktcode: 86631
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STN851 Hersteller : onsemi / Fairchild en.CD00003047.pdf Bipolar Transistors - BJT
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