STO450N6F7 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: LV MOSFET TRENCH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 9.52 EUR |
| 10+ | 6.4 EUR |
| 100+ | 4.62 EUR |
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Technische Details STO450N6F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 545A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 454W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STO450N6F7 nach Preis ab 4.96 EUR bis 10.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STO450N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET |
auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STO450N6F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 545A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 454W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STO450N6F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STO450N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: LV MOSFET TRENCH Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TOLL Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 454W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) FET Type: N-Channel |
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