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STO450N6F7

STO450N6F7 STMicroelectronics

497_sto450n6f7.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: LV MOSFET TRENCH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details STO450N6F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 545A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 454W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STO450N6F7 STO450N6F7 STMicroelectronics 497_sto450n6f7.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.03 EUR
10+9.64 EUR
100+7.79 EUR
500+6.94 EUR
1000+5.93 EUR
1800+5.9 EUR
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STO450N6F7 STO450N6F7 STMICROELECTRONICS 4536210.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 545A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 454W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.59 EUR
22+10.86 EUR
100+7.34 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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STO450N6F7 STO450N6F7 STMICROELECTRONICS 4536210.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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euEccn: NLR
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 454W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
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STO450N6F7
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STO450N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 545 A, 850 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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usEccn: EAR99
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