STP100N6F7
Produktcode: 113452
Hersteller: STGehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
JHGF: THT
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220-3 Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar On-state resistance: 5.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 125W Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220-3 Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar On-state resistance: 5.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 125W Kind of package: tube |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag |
auf Bestellung 2316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 708 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP100N6F7 | Hersteller : ST |
N-MOSFET 100A 60V 125W 0.056Ω STP100N6F7 TSTP100N6F7Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
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8532 22 00 00
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1947 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
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Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 61 Stück:
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|---|---|
| 1+ | 1.68 EUR |







