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STP100N6F7

STP100N6F7

stp100n6f7-datasheet.pdf
Produktcode: 113452
Hersteller: ST
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
JHGF: THT
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STP100N6F7 STP100N6F7 Hersteller : STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP100N6F7 STP100N6F7 Hersteller : STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP100N6F7 STP100N6F7 Hersteller : STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP100N6F7 STP100N6F7 Hersteller : STMicroelectronics stp100n6f7-1851385.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ 100 A STripFET F7 Power MOSFET
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STP100N6F7 STP100N6F7 Hersteller : STMicroelectronics STP100N6F7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
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50+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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STP100N6F7 STP100N6F7 Hersteller : STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP100N6F7 STP100N6F7 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2371845.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STP100N6F7 Hersteller : STMicroelectronics STP100N6F7.pdf STP100N6F7 THT N channel transistors
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51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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STP100N6F7 Hersteller : ST STP100N6F7.pdf N-MOSFET 100A 60V 125W 0.056Ω STP100N6F7 TSTP100N6F7
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STP100N6F7 STP100N6F7 Hersteller : STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP100N6F7 Hersteller : STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
Produktcode: 2568
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EXR_080421.pdf
1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 16x26mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 144 Stück
erwartet: 4000 Stück
4000 Stück - erwartet
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100+0.33 EUR
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 1050 Stück
43 Stück - stock Köln
1007 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 30 Stück
Anzahl Preis
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10+0.79 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5865 Stück:
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10+1.45 EUR
100+1.00 EUR
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IRF3808PBF
Produktcode: 33009
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description irf3808pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dff39e196a
IRF3808PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
auf Bestellung 74 Stück:
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