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STP100N6F7

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Hersteller: ST
N-MOSFET 100A 60V 125W 0.056Ω STP100N6F7 TSTP100N6F7
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Technische Details STP100N6F7 ST

Description: STMICROELECTRONICS - STP100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP100N6F7 STP100N6F7 STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.64 EUR
119+1.45 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
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STP100N6F7 STP100N6F7 STMicroelectronics STP100N6F7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.53 EUR
37+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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STP100N6F7 STP100N6F7 STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.07 EUR
109+1.58 EUR
120+1.4 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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STP100N6F7 STP100N6F7 STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.07 EUR
109+1.55 EUR
120+1.34 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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STP100N6F7 STP100N6F7 STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.36 EUR
106+1.59 EUR
118+1.37 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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STP100N6F7 STP100N6F7 STMicroelectronics STP100N6F7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
50+1.8 EUR
100+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STP100N6F7 STP100N6F7 STMicroelectronics STP100N6F7.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag
auf Bestellung 3253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+1.82 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
2000+1.08 EUR
5000+1.05 EUR
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STP100N6F7 STP100N6F7 STMICROELECTRONICS 2371845.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 1106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.8 EUR
67+3.47 EUR
108+1.99 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.54 EUR
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STP100N6F7
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+1.64 EUR
119+1.45 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.01 EUR
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STP100N6F7
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+2.53 EUR
37+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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STP100N6F7
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.07 EUR
109+1.58 EUR
120+1.4 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.07 EUR
109+1.55 EUR
120+1.34 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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STP100N6F7
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+3.36 EUR
106+1.59 EUR
118+1.37 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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STP100N6F7
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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50+1.8 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag
auf Bestellung 3253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.75 EUR
10+1.82 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
2000+1.08 EUR
5000+1.05 EUR
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
auf Bestellung 1106 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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44+5.8 EUR
67+3.47 EUR
108+1.99 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH