STP100N6F7
Produktcode: 113452
Hersteller: STUds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
JHGF: THT
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics | MOSFET N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ 100 A STripFET F7 Power MOSFET |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0047 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm |
auf Bestellung 1782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP100N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB3206PBF Produktcode: 34412 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0024
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 210
Rds(on), Ohm: 0.0024
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
JHGF: THT
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1+ | 1.52 EUR |
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 13301 Stück:
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1+ | 1.5 EUR |
10+ | 1.45 EUR |
100+ | 1 EUR |
IRF3808PBF Produktcode: 33009 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
JHGF: THT
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.68 EUR |
1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz) Produktcode: 2568 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 16x26mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 16x26mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 199 Stück
erwartet:
2000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.57 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
100+ | 0.33 EUR |
1000+ | 0.3 EUR |
100uF 20V ERS 8x12mm (ERS101M20B) Produktcode: 26616 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische der ERS Serie Polymer, Aluminium
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 20V
Reihe: ERS-Polymer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Макс.пульс.струм: 3320 mA
ESR: 24 mOhm
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische der ERS Serie Polymer, Aluminium
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 20V
Reihe: ERS-Polymer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Макс.пульс.струм: 3320 mA
ESR: 24 mOhm
verfügbar: 1134 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.57 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
100+ | 0.4 EUR |
1000+ | 0.38 EUR |