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STP100N6F7

STP100N6F7

stp100n6f7-datasheet.pdf
Produktcode: 113452
Hersteller: ST
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 5,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1980/30
JHGF: THT
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STP100N6F7 STP100N6F7 Hersteller : STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 350 Stücke:
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STP100N6F7 STP100N6F7 Hersteller : STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP100N6F7 STP100N6F7 Hersteller : STMicroelectronics STP100N6F7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 75A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STP100N6F7 STP100N6F7 Hersteller : STMicroelectronics STP100N6F7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 25 V
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50+1.41 EUR
100+1.26 EUR
500+1 EUR
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Mindestbestellmenge: 6
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STP100N6F7 STP100N6F7 Hersteller : STMicroelectronics STP100N6F7.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag
auf Bestellung 3059 Stücke:
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STP100N6F7 STP100N6F7 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2371845.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP100N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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STP100N6F7 Hersteller : ST STP100N6F7.pdf N-MOSFET 100A 60V 125W 0.056Ω STP100N6F7 TSTP100N6F7
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Mindestbestellmenge: 10
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STP100N6F7 STP100N6F7 Hersteller : STMicroelectronics 825394348983114dm00148868.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Дротяний припій, 0,7mm, 100g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø0.7, 100g
Produktcode: 62038
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description cynel.pdf
Дротяний припій, 0,7mm, 100g, з флюсом, свинцевий, CYNEL Sn60Pb40-SW26/2.5% Ø0.7, 100g
Hersteller: CYNEL
Lötgeräte, Lötmaterial > Lote, Lötpasten
Kategorie: Lötmaterial
Beschreibung: Mittel zum Weichlöten
Gewicht: 100g.
Durchschnitt: 0,7mm
Склад сплаву: Sn60Pb40
Температура плавлення: 190°C
№ 6: Свинцевий
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PLATO-170
Produktcode: 117255
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PLATO-170
Hersteller: PLATO
Werkzeuge > Zangen, Seitenschneider, Flachzangen, Kneifzangen
Тип: Бокорізи, кусачки
Опис: Бокорізи (кусачки) з довжиною кромки для різання 12 мм
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 1726 St.
26 St. - stock Köln
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IRF1405PBF
Produktcode: 27155
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IRF1405PBF.pdf
IRF1405PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
JHGF: THT
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