STP100N8F6
Produktcode: 132755
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Weitere Produktangebote STP100N8F6 nach Preis ab 0.93 EUR bis 4.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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STP100N8F6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP100N8F6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP100N8F6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP100N8F6 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 80 V, 0.008 Ohm typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 pack |
auf Bestellung 1538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP100N8F6 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5955 pF @ 25 V |
auf Bestellung 18187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP100N8F6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP100N8F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 176W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm |
auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STP100N8F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.01 EUR |
| 2000+ | 0.93 EUR |
| STP100N8F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 1.01 EUR |
| 2000+ | 0.95 EUR |
| STP100N8F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 349+ | 1.89 EUR |
| 500+ | 1.68 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
| 10000+ | 1.32 EUR |
| STP100N8F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 80 V, 0.008 Ohm typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 pack
MOSFETs N-channel 80 V, 0.008 Ohm typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 pack
auf Bestellung 1538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.05 EUR |
| 10+ | 2.09 EUR |
| 100+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| 2000+ | 1.07 EUR |
| 5000+ | 1.02 EUR |
| STP100N8F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5955 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5955 pF @ 25 V
auf Bestellung 18187 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.3 EUR |
| 50+ | 2.08 EUR |
| 100+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| 2000+ | 1.26 EUR |
| 5000+ | 1.15 EUR |
| 10000+ | 1.09 EUR |
| STP100N8F6 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP100N8F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP100N8F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.009 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)



