STP10N60M2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
auf Bestellung 730 Stücke:
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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8+ | 2.39 EUR |
100+ | 1.9 EUR |
500+ | 1.61 EUR |
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Technische Details STP10N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm.
Weitere Produktangebote STP10N60M2 nach Preis ab 1.38 EUR bis 2.56 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STP10N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2 |
auf Bestellung 2317 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STP10N60M2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm |
auf Bestellung 1065 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP10N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STP10N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP10N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP10N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP10N60M2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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