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STP10N95K5

STP10N95K5 STMicroelectronics

1017004776732557dm00088506.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP10N95K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 950V 8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V.

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STP10N95K5 STP10N95K5 Hersteller : STMicroelectronics 1017004776732557dm00088506.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP10N95K5 STP10N95K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00088506.pdf MOSFETs N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
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STP10N95K5 STP10N95K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00088506.pdf Description: MOSFET N-CH 950V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
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STP10N95K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00088506.pdf STP10N95K5 THT N channel transistors
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