STP10NK80Z STMicroelectronics
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Technische Details STP10NK80Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote STP10NK80Z nach Preis ab 1.67 EUR bis 10.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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STP10NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP10NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH |
auf Bestellung 2918 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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STP10NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V |
auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STP10NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP10NK80Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 1648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP10NK80Z | Hersteller : ST |
N-MOSFET 9A 800V 160W STP10NK80Z TSTP10NK80Z Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STP10NK80Z |
STP10NK80Z Транзисторы MOS FET Power |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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STP10NK80Z Produktcode: 139478 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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STP10NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP10NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STP10NK80Z | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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