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STP10NK80Z

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Produktcode: 139478
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP10NK80Z STP10NK80Z STMicroelectronics stp10nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.67 EUR
100+2.57 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.38 EUR
2000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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STP10NK80Z STP10NK80Z STMicroelectronics stp10nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.75 EUR
65+2.63 EUR
100+2.5 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.2 EUR
2000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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STP10NK80Z STP10NK80Z STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.76 EUR
20+4.34 EUR
28+3.15 EUR
29+2.96 EUR
50+2.82 EUR
100+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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STP10NK80Z STP10NK80Z STMicroelectronics en.CD00003020.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.53 EUR
10+5.21 EUR
100+4.41 EUR
500+4.11 EUR
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STP10NK80Z STP10NK80Z STMicroelectronics en.CD00003020.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.16 EUR
50+5.31 EUR
100+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP10NK80Z STP10NK80Z STMICROELECTRONICS SGSTS31545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP10NK80Z ST en.CD00003020.pdf N-MOSFET 9A 800V 160W STP10NK80Z TSTP10NK80Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STP10NK80Z en.CD00003020.pdf STP10NK80Z Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 110 Stücke:
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STP10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9191 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
65+2.67 EUR
100+2.57 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.38 EUR
2000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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STP10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+2.75 EUR
65+2.63 EUR
100+2.5 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.2 EUR
2000+2.05 EUR
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STP10NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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50+5.31 EUR
100+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP10NK80Z SGSTS31545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP10NK80Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
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Hersteller: ST
N-MOSFET 9A 800V 160W STP10NK80Z TSTP10NK80Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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STP10NK80Z Транзисторы MOS FET Power
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