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STP10NK80ZFP

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Produktcode: 139604
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details STP10NK80ZFP

  • MOSFET, N, TO-220FP
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:800V
  • Cont Current Id:9A
  • On State Resistance:0.9ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3.75V
  • Case Style:TO-220FP
  • Termination Type:Through Hole
  • Cont Current Id @ 100`C:6A
  • Max Voltage Vds:800V
  • No. of Pins:3
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.9ohm
  • Power Dissipation Pd:40W
  • Pulse Current Idm:36A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Transistor Case Style:TO-220FP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMicroelectronics stp10nk80z.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMicroelectronics stp10nk80z.pdf description Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 14200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.46 EUR
17+5.14 EUR
18+4.74 EUR
21+4.22 EUR
25+3.83 EUR
50+3.56 EUR
100+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMicroelectronics en.CD00003020.pdf description MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.33 EUR
10+5.4 EUR
100+4.93 EUR
500+4.19 EUR
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STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMicroelectronics en.CD00003020.pdf description Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.52 EUR
50+5.5 EUR
100+5.01 EUR
500+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMICROELECTRONICS SGSTS31545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK80ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
auf Bestellung 1183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.92 EUR
42+5.59 EUR
100+4.71 EUR
500+4.24 EUR
1000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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STP10NK80ZFP ST en.CD00003020.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 40W; -55°C ~ 150°C; STP10NK80ZFP TSTP10NK80ZFP
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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STP10NK80ZFP description stp10nk80z.pdf
STP10NK80ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP10NK80ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STP10NK80ZFP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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MOSFETs N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
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STP10NK80ZFP
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP10NK80ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
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Dauer-Drainstrom Id: 9A
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Qualifikation: -
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.78ohm
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Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 40W; -55°C ~ 150°C; STP10NK80ZFP TSTP10NK80ZFP
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US1M
Produktcode: 123318
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US1M
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Sperrspannung Vrr, V: 1000 В
Mittlerer Strom Iav, A: 1 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 75 ns
Montage: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Sicherung micro 1A, flink (KLS5-101-5EF-010H)
Produktcode: 98365
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kls5-101-5ef.pdf
Sicherung micro 1A, flink (KLS5-101-5EF-010H)
Hersteller: KLS
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Kurzbeschreibung: Sicherung flink, radial 1A 250V, 8.5x7.2x4mm
Nennstrom: 1 A
Größe: 8.5x7.2x4 mm; dAnschl.. = 0.6 mm
Bauform: Mit Anschlüssen
Gehäusematerial: Kunststoff
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Flink
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet 15.08.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.33 EUR
10+0.29 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 31676
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ESX_080418.pdf
100uF 25V ESX 6,3x11mm (low imp.) (ESX101M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: ESX
Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x11 mm
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 2148 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 400 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+0.095 EUR
10+0.071 EUR
100+0.04 EUR
1000+0.037 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1,8 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1R8-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 4337
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rc_series_20150401_1.pdf
1,8 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1R8-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 1,8 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 7676 St.
  • 1200 St. - stock Köln
  • 6476 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.0033 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 3314
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RC_series.pdf
1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 1 Ohm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
auf Bestellung 17313 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.0033 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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