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STP10NM60ND

STP10NM60ND STMicroelectronics

stpower-n-channel-mosfets-gt-200-v-to-700-v.html Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V
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Technische Details STP10NM60ND STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STP10NM60ND STP10NM60ND Hersteller : STMicroelectronics sgst_s_a0003588212_1-2282633.pdf MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8 A FDmesh II PWR
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Produktcode: 132010
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STP10NM60ND STP10NM60ND Hersteller : STMicroelectronics 14077916024011006.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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