STP10P6F6 STMicroelectronics
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Technische Details STP10P6F6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.
Weitere Produktangebote STP10P6F6 nach Preis ab 0.87 EUR bis 3.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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STP10P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP10P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 60V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V |
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STP10P6F6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
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STP10P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A pwr MOSFET |
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STP10P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP10P6F6 | Hersteller : ST |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A STP10P6F6 TSTP10P6F6 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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| STP10P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |