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STP110N10F7

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Produktcode: 189126
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP110N10F7 STP110N10F7 STMicroelectronics 811319514341279dm00072347.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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84+2.07 EUR
100+2.01 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.8 EUR
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STP110N10F7 STP110N10F7 STMicroelectronics 811319514341279dm00072347.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
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400+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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STP110N10F7 STP110N10F7 STMicroelectronics 811319514341279dm00072347.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
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400+2.3 EUR
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STP110N10F7 STP110N10F7 STMicroelectronics en.DM00072347.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 76A; Idm: 415A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 415A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.19 EUR
31+2.77 EUR
50+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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STP110N10F7 STP110N10F7 STMicroelectronics en.DM00072347.pdf MOSFETs N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+2.64 EUR
100+2.45 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.05 EUR
2000+1.98 EUR
5000+1.93 EUR
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STP110N10F7 STP110N10F7 STMicroelectronics en.DM00072347.pdf Description: MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.41 EUR
50+3.21 EUR
100+2.9 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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STP110N10F7 STP110N10F7 STMICROELECTRONICS SGSTS49339-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STP110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.65 EUR
38+6.13 EUR
100+3.92 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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STP110N10F7 811319514341279dm00072347.pdf
STP110N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
84+2.07 EUR
100+2.01 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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STP110N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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400+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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STP110N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP110N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 76A; Idm: 415A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 415A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ F7
auf Bestellung 80 Stücke:
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31+2.77 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
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1+6.28 EUR
10+2.64 EUR
100+2.45 EUR
500+2.18 EUR
1000+2.05 EUR
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STP110N10F7
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
auf Bestellung 699 Stücke:
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4+6.41 EUR
50+3.21 EUR
100+2.9 EUR
500+2.36 EUR
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STP110N10F7
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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38+6.13 EUR
100+3.92 EUR
500+3.3 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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