STP110N8F6 STMicroelectronics
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Technische Details STP110N8F6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V.
Weitere Produktangebote STP110N8F6 nach Preis ab 1.07 EUR bis 3.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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STP110N8F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 MOSFETs N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET |
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STP110N8F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V |
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| STP110N8F6 |
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STP110N8F6 Produktcode: 122622
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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STP110N8F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP110N8F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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