Weitere Produktangebote STP11NM80 nach Preis ab 4.32 EUR bis 8.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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STP11NM80 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220ABTechnology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel |
auf Bestellung 993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP11NM80 | STM |
N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори |
auf Bestellung 2071 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP11NM80 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh |
auf Bestellung 1752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STP11NM80 | ST |
N-MOSFET 11A 800V 150W STP11NM80 TSTP11NM80Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STP11NM80 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.79 EUR |
| 50+ | 5 EUR |
| 100+ | 4.93 EUR |
| 500+ | 4.32 EUR |
| STP11NM80 |
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Hersteller: STM
N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори
N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори
auf Bestellung 2071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.54 EUR |
| STP11NM80 |
![]() |
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
auf Bestellung 1752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.43 EUR |
| 10+ | 5.16 EUR |
| 100+ | 4.88 EUR |
| 500+ | 4.86 EUR |
| STP11NM80 |
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auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 8.36 EUR |
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| MUR1660CT Produktcode: 112399
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Yangjie
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220AB
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 16 A
Trr, ns: 50 ns
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод,
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220AB
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 16 A
Trr, ns: 50 ns
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод,
auf Bestellung 59 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| KBL410 Produktcode: 111370
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Yangjie/SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBL
Urew: 1000 V
I dir: 4 A
Zus.Info: Однофазний
Auwechselbar:: KBL407, KBL406, KBL405, KBL404, KBL403, KBL402, KBL401, RS407L, RS406L, RS405L, RS404L, RS403L, RS402L, RS401L
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 150 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBL
Urew: 1000 V
I dir: 4 A
Zus.Info: Однофазний
Auwechselbar:: KBL407, KBL406, KBL405, KBL404, KBL403, KBL402, KBL401, RS407L, RS406L, RS405L, RS404L, RS403L, RS402L, RS401L
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 150 A
auf Bestellung 513 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| SMBJ48A Produktcode: 81993
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Lieblingsprodukt
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP1203D60R2G Produktcode: 24891
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: ON
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SOIC-8
Eigenschaften: PWM Current-Mode
Spannung, eing., V: 16V
I-ausg., A: 250mA
Fosc, kHz: 65
Temperaturbereich: -40...+125°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SOIC-8
Eigenschaften: PWM Current-Mode
Spannung, eing., V: 16V
I-ausg., A: 250mA
Fosc, kHz: 65
Temperaturbereich: -40...+125°C
verfügbar: 125 St.
- 10 St. - stock Köln
- 115 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
| 100+ | 0.39 EUR |
| SFH6156-2T (SMD-4) Produktcode: 19152
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Vishay
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: PDIP-4
Typ: Optokoppler
U-isol, kV: 5.3
I-ein/ I-ausg, mA: 60/100
U ausg, V: 70
Ton/Toff, µs: 4.2/23
Роб.темп.,°С: -55…+100°C
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: PDIP-4
Typ: Optokoppler
U-isol, kV: 5.3
I-ein/ I-ausg, mA: 60/100
U ausg, V: 70
Ton/Toff, µs: 4.2/23
Роб.темп.,°С: -55…+100°C
verfügbar: 476 St.
- 6 St. - stock Köln
- 470 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.5 EUR |
| 10+ | 8.5 EUR |








