
STP11NM80
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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STP11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
auf Bestellung 993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP11NM80 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 668 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
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auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP11NM80 | Hersteller : ST |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STP11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics NV |
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auf Bestellung 2071 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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STP11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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STP11NM80 | Hersteller : STMicroelectronics |
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Produkt ist nicht verfügbar |