Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > STP11NM80
STP11NM80

STP11NM80

stp11nm80.pdf
Produktcode: 36380
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 В
Drain-Strom Idd, A: 11 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 400 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1630/50
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 15 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote STP11NM80 nach Preis ab 2.23 EUR bis 11.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.16 EUR
36+4.77 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.16 EUR
36+4.87 EUR
100+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.CD00003205.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.08 EUR
50+5.95 EUR
100+5.87 EUR
500+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STM stp11nm80.pdf N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори
auf Bestellung 2071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+9.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.CD00003205.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
auf Bestellung 1752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.03 EUR
10+6.14 EUR
100+5.81 EUR
500+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STMICROELECTRONICS SGSTS29201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.57 EUR
31+7.57 EUR
100+6.7 EUR
500+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 ST en.CD00003205.pdf N-MOSFET 11A 800V 150W STP11NM80 TSTP11NM80
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 en.cd00003205.pdf
STP11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 en.cd00003205.pdf
STP11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.16 EUR
36+4.77 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 en.cd00003205.pdf
STP11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.16 EUR
36+4.87 EUR
100+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 en.CD00003205.pdf
STP11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.08 EUR
50+5.95 EUR
100+5.87 EUR
500+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 stp11nm80.pdf
STP11NM80
Hersteller: STM
N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори
auf Bestellung 2071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 en.CD00003205.pdf
STP11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
auf Bestellung 1752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.03 EUR
10+6.14 EUR
100+5.81 EUR
500+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 SGSTS29201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP11NM80
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.57 EUR
31+7.57 EUR
100+6.7 EUR
500+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 en.cd00003205.pdf
STP11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 en.CD00003205.pdf
Hersteller: ST
N-MOSFET 11A 800V 150W STP11NM80 TSTP11NM80
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

MUR1660CT
Produktcode: 112399
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
MUR16xxCT_SER.pdf
MUR1660CT
Hersteller: Yangjie
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220AB
Sperrspannung Vrr, V: 600 В
Mittlerer Strom Iav, A: 16 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 50 ns
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode.
auf Bestellung 39 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10 St.:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
KBL410
Produktcode: 111370
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
kbl400-datasheet.pdf
KBL410
Hersteller: Yangjie/SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBL
Sperrspannung Urev, V: 1000 В
Durchlassstrom Idir, A: 4 А
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Kann ersetzen:: KBL407, KBL406, KBL405, KBL404, KBL403, KBL402, KBL401, RS407L, RS406L, RS405L, RS404L, RS403L, RS402L, RS401L
Montage: THT
Impulsstrom, A: 150 А
auf Bestellung 508 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMBJ48A
Produktcode: 81993
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SMBJ SERIES_R2104.pdf SMBJ.pdf eaton-smbje-tvs-diode-power-esd-suppressor-data-sheet.pdf SemtechSMBJxxA.pdf smbj%20series(600w,5v_500v).pdf tvs-diodes-smbj-series-datasheet?assetguid=ba555e99-a12d-4f72-a0b6-86b06c67171e SMBJ%20SERIES%20N0193%20REV.D.pdf
SMBJ48A
Hersteller: Jingdao
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Spitzenleistung, P, W: 600 W
Durchbruchspannung, Vbr: 53,3 V
Sperrspannung, Vrm: 48 V
Leckstrom, Irm: 5 µA
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1203D60R2G
Produktcode: 24891
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
NCP1203D60R2G.pdf
NCP1203D60R2G
Hersteller: ON
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SOIC-8
Funktion und Eigenschaften: PWM im Strommodus
Eingangsspannung, V: 16 V
Ausgangsstrom Iout, A: 250 mA
Frequenz Fosc, kHz: 65 kHz
Temperaturbereich: -40...+125°C
verfügbar: 35 St.
  • 10 St. - stock Köln
  • 25 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.6 EUR
10+0.52 EUR
100+0.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFH6156-2T (SMD-4)
Produktcode: 19152
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
sfh6156.pdf
SFH6156-2T (SMD-4)
Hersteller: Vishay
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SMD-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 5,3 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 60/100 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 70 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 4,2/23 µs
Betriebstemperatur, °C: -55…+100°С
Kanalanzahl: 1
verfügbar: 414 St.
  • 6 St. - stock Köln
  • 408 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+11.3 EUR
10+10.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH