Weitere Produktangebote STP11NM80 nach Preis ab 2.23 EUR bis 11.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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STP11NM80 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP11NM80 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP11NM80 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP11NM80 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220ABTechnology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel |
auf Bestellung 993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP11NM80 | STM |
N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори |
auf Bestellung 2071 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP11NM80 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh |
auf Bestellung 1752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STP11NM80 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm |
auf Bestellung 661 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STP11NM80 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| STP11NM80 | ST |
N-MOSFET 11A 800V 150W STP11NM80 TSTP11NM80Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| STP11NM80 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 150+ | 5.02 EUR |
| STP11NM80 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 6.16 EUR |
| 36+ | 4.77 EUR |
| 100+ | 2.23 EUR |
| STP11NM80 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 6.16 EUR |
| 36+ | 4.87 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| STP11NM80 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.08 EUR |
| 50+ | 5.95 EUR |
| 100+ | 5.87 EUR |
| 500+ | 5.14 EUR |
| STP11NM80 |
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Hersteller: STM
N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори
N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори
auf Bestellung 2071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.08 EUR |
| STP11NM80 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
auf Bestellung 1752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.03 EUR |
| 10+ | 6.14 EUR |
| 100+ | 5.81 EUR |
| 500+ | 5.78 EUR |
| STP11NM80 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 11.97 EUR |
| 35+ | 6.79 EUR |
| 100+ | 5.94 EUR |
| 500+ | 5.2 EUR |
| STP11NM80 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STP11NM80 |
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auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 9.98 EUR |
Mit diesem Produkt kaufen
| SMBJ48A Produktcode: 81993
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Jingdao
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Spitzenleistung, P, W: 600 W
Durchbruchspannung, Vbr: 53,3 V
Sperrspannung, Vrm: 48 V
Leckstrom, Irm: 5 µA
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: SMD
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Spitzenleistung, P, W: 600 W
Durchbruchspannung, Vbr: 53,3 V
Sperrspannung, Vrm: 48 V
Leckstrom, Irm: 5 µA
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.14 EUR |
| 10+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.09 EUR |
| Relais FTR-F1CA024V Produktcode: 42196
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Fujitsu
Relais
Relaistyp: Relais mittlerer Leistung (5-20A)
Beschreibung: Kontakttyp: 2C; USpule: 24V; AC-DC: DC; P-Steuer (max): 530 mW; I-Schalt: 5A; UDC: 24V; -40 ... + 75 ° C
Abmessungen: 29x12,8x16,5 mm
Spulenspannung: 24 VDC
Strom max.: 5 А
Kontaktkonfiguration: DPDT(2C)
Schaltspannung: 250 VAC; 24 VDC
Relais
Relaistyp: Relais mittlerer Leistung (5-20A)
Beschreibung: Kontakttyp: 2C; USpule: 24V; AC-DC: DC; P-Steuer (max): 530 mW; I-Schalt: 5A; UDC: 24V; -40 ... + 75 ° C
Abmessungen: 29x12,8x16,5 mm
Spulenspannung: 24 VDC
Strom max.: 5 А
Kontaktkonfiguration: DPDT(2C)
Schaltspannung: 250 VAC; 24 VDC
auf Bestellung: 766 St.
- 766 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.13 EUR |
| 10+ | 2.94 EUR |
| 100+ | 2.67 EUR |
| 1000+ | 2.49 EUR |
| STTH2003CT Produktcode: 40401
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrr, V: 300 V
Mittlerer Strom Iav, A: 10 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 35 ns
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrr, V: 300 V
Mittlerer Strom Iav, A: 10 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 35 ns
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
auf Bestellung: 26 St.
- 26 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.95 EUR |
| 10+ | 2.69 EUR |
| NCP1203D60R2G Produktcode: 24891
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: ON
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SOIC-8
Funktion und Eigenschaften: PWM im Strommodus
Eingangsspannung, V: 16 V
Ausgangsstrom Iout, A: 250 mA
Frequenz Fosc, kHz: 65 kHz
Temperaturbereich: -40...+125°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SOIC-8
Funktion und Eigenschaften: PWM im Strommodus
Eingangsspannung, V: 16 V
Ausgangsstrom Iout, A: 250 mA
Frequenz Fosc, kHz: 65 kHz
Temperaturbereich: -40...+125°C
verfügbar: 10 St.
- 10 St. - stock Köln
erwartet: 300 St.
- 300 St. - erwartet 27.08.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.03 EUR |
| 10+ | 1.86 EUR |
| 100+ | 1.7 EUR |
| SFH6156-2T (SMD-4) Produktcode: 19152
1
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Vishay
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SMD-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 5,3 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 60/100 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 70 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 4,2/23 µs
Betriebstemperatur, °C: -55…+100°С
Kanalanzahl: 1
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SMD-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 5,3 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 60/100 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 70 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 4,2/23 µs
Betriebstemperatur, °C: -55…+100°С
Kanalanzahl: 1
verfügbar: 6 St.
- 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 408 St.
- 408 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.3 EUR |
| 10+ | 10.12 EUR |
| 100+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |












