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STP11NM80

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stp11nm80.pdf
Produktcode: 36380
Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 400 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1630/50
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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STP11NM80 STP11NM80 Hersteller : STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP11NM80 STP11NM80 Hersteller : STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP11NM80 STP11NM80 Hersteller : STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP11NM80 STP11NM80 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003205.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
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STP11NM80 STP11NM80 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003205.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
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STP11NM80 STP11NM80 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGSTS29201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STP11NM80 STP11NM80 Hersteller : STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP11NM80 Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003205.pdf STP11NM80 THT N channel transistors
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STP11NM80 Hersteller : ST en.CD00003205.pdf N-MOSFET 11A 800V 150W STP11NM80 TSTP11NM80
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STP11NM80 Hersteller : STMicroelectronics NV en.CD00003205.pdf N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET
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STP11NM80 STP11NM80 Hersteller : STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP11NM80 STP11NM80 Hersteller : STMicroelectronics 706322785380960cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Gehäuse: TO-220AB
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 16 A
Trr, ns: 50 ns
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод,
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Hersteller: Yangjie/SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBL
Urew: 1000 V
I dir: 4 A
Zus.Info: Однофазний
Auwechselbar:: KBL407, KBL406, KBL405, KBL404, KBL403, KBL402, KBL401, RS407L, RS406L, RS405L, RS404L, RS403L, RS402L, RS401L
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 150 A
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
n: Односпрямований
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Hersteller: ON
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SOIC-8
Eigenschaften: PWM Current-Mode
Spannung, eing., V: 16V
I-ausg., A: 250mA
Fosc, kHz: 65
Temperaturbereich: -40...+125°C
verfügbar: 247 Stück
10 Stück - stock Köln
237 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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1+0.5 EUR
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SFH6156-2T (SMD-4)
Hersteller: Vishay
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: PDIP-4
Typ: Optokoppler
U-isol, kV: 5.3
I-ein/ I-ausg, mA: 60/100
U ausg, V: 70
Ton/Toff, µs: 4.2/23
Роб.темп.,°С: -55…+100°C
verfügbar: 546 Stück
6 Stück - stock Köln
540 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+8.5 EUR
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