Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > STP11NM80
STP11NM80

STP11NM80

stp11nm80.pdf
Produktcode: 36380
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 В
Drain-Strom Idd, A: 11 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 400 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1630/50
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 15 St.
  • 15 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.88 EUR
10+4.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote STP11NM80 nach Preis ab 2.25 EUR bis 11.97 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.22 EUR
36+4.93 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.24 EUR
36+4.83 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.CD00003205.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.08 EUR
50+5.95 EUR
100+5.87 EUR
500+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STM stp11nm80.pdf N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори
auf Bestellung 2071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+9.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.CD00003205.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
auf Bestellung 1752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.03 EUR
10+6.14 EUR
100+5.81 EUR
500+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STMICROELECTRONICS SGSTS29201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.97 EUR
35+6.79 EUR
100+5.94 EUR
500+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 STP11NM80 STMicroelectronics en.cd00003205.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 ST en.CD00003205.pdf N-MOSFET 11A 800V 150W STP11NM80 TSTP11NM80
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+10.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 en.cd00003205.pdf
STP11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 en.cd00003205.pdf
STP11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.22 EUR
36+4.93 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 en.cd00003205.pdf
STP11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.24 EUR
36+4.83 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 en.CD00003205.pdf
STP11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.08 EUR
50+5.95 EUR
100+5.87 EUR
500+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 stp11nm80.pdf
STP11NM80
Hersteller: STM
N-channel 800 V - 0.35 Om - 11 A TO-220 Power MOSFET Транзистори
auf Bestellung 2071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 en.CD00003205.pdf
STP11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
auf Bestellung 1752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.03 EUR
10+6.14 EUR
100+5.81 EUR
500+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 SGSTS29201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP11NM80
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP11NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+11.97 EUR
35+6.79 EUR
100+5.94 EUR
500+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 en.cd00003205.pdf
STP11NM80
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP11NM80 en.CD00003205.pdf
Hersteller: ST
N-MOSFET 11A 800V 150W STP11NM80 TSTP11NM80
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+10.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

SMBJ48A
Produktcode: 81993
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SMBJ SERIES_R2104.pdf SMBJ.pdf eaton-smbje-tvs-diode-power-esd-suppressor-data-sheet.pdf SemtechSMBJxxA.pdf tvs-diodes-smbj-series-datasheet?assetguid=ba555e99-a12d-4f72-a0b6-86b06c67171e GK-SMBJ_SERIES-2025.pdf
SMBJ48A
Hersteller: Jingdao
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Spitzenleistung, P, W: 600 W
Durchbruchspannung, Vbr: 53,3 V
Sperrspannung, Vrm: 48 V
Leckstrom, Irm: 5 µA
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
9+0.14 EUR
11+0.12 EUR
100+0.1 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 9 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Relais FTR-F1CA024V
Produktcode: 42196
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ftr-f1ca024v.pdf
Relais FTR-F1CA024VRelais FTR-F1CA024V
Relais FTR-F1CA024VRelais FTR-F1CA024V
Hersteller: Fujitsu
Relais
Relaistyp: Relais mittlerer Leistung (5-20A)
Beschreibung: Kontakttyp: 2C; USpule: 24V; AC-DC: DC; P-Steuer (max): 530 mW; I-Schalt: 5A; UDC: 24V; -40 ... + 75 ° C
Abmessungen: 29x12,8x16,5 mm
Spulenspannung: 24 VDC
Strom max.: 5 А
Kontaktkonfiguration: DPDT(2C)
Schaltspannung: 250 VAC; 24 VDC
auf Bestellung: 465 St.
  • 465 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.13 EUR
10+2.94 EUR
100+2.67 EUR
1000+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STTH2003CT
Produktcode: 40401
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
en.CD00001289.pdf
STTH2003CT
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrr, V: 300 V
Mittlerer Strom Iav, A: 10 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 35 ns
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
auf Bestellung: 24 St.
  • 24 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.95 EUR
10+2.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NCP1203D60R2G
Produktcode: 24891
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
NCP1203D60R2G.pdf
NCP1203D60R2G
Hersteller: ON
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SOIC-8
Funktion und Eigenschaften: PWM im Strommodus
Eingangsspannung, V: 16 V
Ausgangsstrom Iout, A: 250 mA
Frequenz Fosc, kHz: 65 kHz
Temperaturbereich: -40...+125°C
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
auf Bestellung: 165 St.
  • 165 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.03 EUR
10+1.86 EUR
100+1.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFH6156-2T (SMD-4)
Produktcode: 19152
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
sfh6156.pdf
SFH6156-2T (SMD-4)
Hersteller: Vishay
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SMD-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 5,3 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 60/100 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 70 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 4,2/23 µs
Betriebstemperatur, °C: -55…+100°С
Kanalanzahl: 1
verfügbar: 6 St.
  • 6 St. - stock Köln
erwartet: 21 St.
  • 21 St. - erwartet
auf Bestellung: 272 St.
  • 272 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.3 EUR
10+10.12 EUR
100+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH