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STP120NF10

STP120NF10 STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details STP120NF10 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 9000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 312W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STP, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics 4013069314299558cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics 4013069314299558cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics 4013069314299558cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics STB120NF10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Mounting: THT
Technology: STripFET™ II
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 77A
Drain-source voltage: 100V
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 312W
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics en.CD00003356.pdf MOSFETs N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A
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1+3.96 EUR
10+3.29 EUR
100+2.78 EUR
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1000+2.2 EUR
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STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics en.CD00003356.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
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3+7.18 EUR
50+3.78 EUR
100+3.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP120NF10 STP120NF10 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003588193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 9000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
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STP120NF10 ST en.CD00003356.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 312W; -55°C ~ 175°C; STP120NF10 TSTP120NF10
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Mounting: THT
Technology: STripFET™ II
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 77A
Drain-source voltage: 100V
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 312W
Kind of channel: enhancement
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22+3.37 EUR
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MOSFETs N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A
auf Bestellung 1144 Stücke:
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10+3.29 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
auf Bestellung 17857 Stücke:
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP120NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 9000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 312W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 606 Stücke:
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Hersteller: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 312W; -55°C ~ 175°C; STP120NF10 TSTP120NF10
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