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STP12NK80Z

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Produktcode: 174528
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Version: ESD
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.6A
Drain-source voltage: 800V
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 190W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.22 EUR
31+2.82 EUR
32+2.7 EUR
50+2.62 EUR
100+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.58 EUR
45+3.89 EUR
100+3.32 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.59 EUR
45+3.81 EUR
100+3.21 EUR
500+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.33 EUR
50+3.8 EUR
100+3.45 EUR
500+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics en.CD00003379.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.07 EUR
10+4.69 EUR
100+4.27 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.47 EUR
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STP12NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Version: ESD
Mounting: THT
Technology: SuperMesh™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.6A
Drain-source voltage: 800V
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 190W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 111 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
21+4.22 EUR
31+2.82 EUR
32+2.7 EUR
50+2.62 EUR
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Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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