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STP12NK80Z

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Produktcode: 174528
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+6.13 EUR
51+3.49 EUR
100+3.14 EUR
500+2.8 EUR
1000+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.74 EUR
45+3.97 EUR
100+3.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics en.cd00003379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2270 Stücke:
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27+6.75 EUR
45+3.9 EUR
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STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics en.CD00003379.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.07 EUR
10+4.69 EUR
100+4.27 EUR
500+3.53 EUR
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STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics en.CD00003379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
auf Bestellung 2523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
50+4.77 EUR
100+4.34 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.34 EUR
2000+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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STP12NK80Z STP12NK80Z STMicroelectronics STX12NK80Z-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
auf Bestellung 8 Stücke:
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STP12NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MOSFETs N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 25 V
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STP12NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6.6A; 190W; TO220-3; ESD
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 190W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
auf Bestellung 8 Stücke:
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