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STP12NM50 STMicroelectronics

Name: STP12NM50
Brand: STMicroelectronics
SKU: 454068902-1
Price: 1.8 EUR
Availability: InStock

Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Technische Details STP12NM50 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 550V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm.

Weitere Produktangebote STP12NM50 nach Preis ab 1.82 EUR bis 10.3 EUR

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STP12NM50

Hersteller : STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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STP12NM50

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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STP12NM50

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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STP12NM50

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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STP12NM50

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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STP12NM50

Hersteller : STMicroelectronics

MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp

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STP12NM50

Hersteller : STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V

auf Bestellung 697 Stücke:

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Anzahl	Preis ohne MwSt
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50+	8.16 EUR
100+	6.99 EUR
500+	6.21 EUR

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STP12NM50

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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STP12NM50

Hersteller : STMICROELECTRONICS

SGST-S-A0011303553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm

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STP12NM50

Hersteller : ST

N-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

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10+	5.32 EUR

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STP12NM50
Produktcode: 32729

Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010

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